آي بي إم تكشف عن قفزة تقنية غير مسبوقة في عالم الرقائق بتصنيع دون النانومتر

في تطور لافت في سباق صناعة أشباه الموصلات، أعلنت شركة “آي بي إم” عن نجاحها في تطوير تقنية جديدة تُعد الأولى من نوعها عالميًا، تتيح تصنيع رقائق إلكترونية بدقة تقل عن نانومتر واحد، عبر بنية ترانزستورات مبتكرة بقياس 0.7 نانومتر، أو ما يعادل 7 أنجستروم.

وأوضحت الشركة أن هذا الإنجاز التقني يمكّن من دمج ما يقارب 100 مليار ترانزستور في مساحة لا تتجاوز حجم ظفر الإصبع، وهو ما يمثل تضاعفًا كبيرًا في كثافة الترانزستورات مقارنةً بالجيل السابق من رقائق 2 نانومتر الذي كشفت عنه “آي بي إم” عام 2021، وفق ما نقلته وكالة “رويترز”.

وبحسب الشركة، فإن هذه القفزة في الكثافة لا تقتصر على زيادة القدرة الحسابية فحسب، بل تتيح أيضًا تحسينًا في الأداء يصل إلى 50%، أو خفض استهلاك الطاقة بنسبة قد تبلغ 70% مقارنة بالتقنيات السابقة، وذلك بفضل تصميم هندسي جديد يحمل اسم “نانو ستاك”، يقوم على مبدأ تكديس الترانزستورات بشكل عمودي ثلاثي الأبعاد.